4 ноября 2010 года, Тайпей, Тайвань ~ ведущий производитель флеш-памяти и модулей памяти, компания Silicon Power анонсировала сегодня (11/4) новые модули памяти DDR3 1600 МГц. Благодаря новому продукту пользователи могут получитьот модулей памяти более высокую производительность без разгона. Новые модули памяти Silicon Power DDR3 удовлетворяют требованиям стандартов JEDEC и систем DDR3 и идеальны для повышения производительности системы.

 

Модули памяти Silicon Power DDR3 1600 МГц соответсвуют стандартам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) для тактовой частоты 1600 МГц , CL9 CAS латентностью и рабочим напряжением 1.5V. Новые модули памяти используют новый fly-by топологический дизайн  для более эффективных команд, адресов, контрольных и временных сигналов, а также поддерживают On-DIE Termination (ODT), что может позволить снизить нежелательные рефлекторные сигналы и увеличить скорость. Кроме того, компания Silicon Power настаивает на использовании оригинальных модулей памяти и упаковки FBGA для лучшего теплообмена и точной передачи данных. Модули памяти Silicon Power на 100% протестированы и могут обеспечить эффективную передачу, стабильность и совместимость.

 

Серия Silicon Power DDR3 соответствует стандартам RoHS. Кроме того, компания предлагает пользователям полное послепродажное обслуживание и пожизненную гарантию.  Пользователи могут выбрать из нескольких доступных продуктов DDR3 1600 МГц: 2GB Long-DIMM kit, 2GB So-DIMM kit, 4GB Long-DIMM двухканальный набор (2GBx2), 6GB Long-DIMM трехканальный набор (2GBx3). Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт www.silicon-power.com.

 

Технические характеристики для модулей памяти Silicon Power DDR3 1600 МГц приведены ниже:

P/N	Технические характеристики
SP002GBLTU160S02	DDR3-1600,LONG-DIMM,2GB,NON ECC,128Mx8
SP002GBSTU160S02	DDR3-1600,SO-DIMM,2GB,NON ECC,128Mx8
SP004GBLTU160S22	DDR3-1600,LONG-DIMM,4GB,NON ECC,128Mx8,Dual Kit
SP006GBLTU160S32	DDR3-1600,LONG-DIMM,6GB,NON ECC,128Mx8,Triple Kit