Silicon Power, el fabricante líder mundial de memoria flash y módulos RAM, anunció hoy (9/10) el lanzamiento de su DDR3 series de alta capacidad con procedimiento avanzado 256Mx8, adicionando una nueva tropa de oro a la marca con realzado rendimiento para la familia DRAM de SIlicon Power. La línea de producto incluye 4GB (single cannel), 8GB (dual kit) y 12GB (triple kit), totalmente compatible con las últimas plataformas como Intel Core Series, AMD AM3 series, etc. Silicon Power DDR3 series de alta capacidad son perfectos para Windows 7 64 bits. Con tal combinación, los usuarios pueden abrir numerosos programas simultáneamente. Incluso si tu computador opera horas extras con power-consuming editing / gaming programs, de igual manera podrás experimentar la última experiencia de la ultrarrápida velocidad y un funcionamiento excepcional.

 

Los módulos de memoria DDR3 de Silicon Power concuerdan con los estándares JEDEC, adoptando una nueva topología de diseño fly-by para comandos más eficientes, direcciones, señales de control y señales de reloj. Ellos también respaldan On-DIE Termination (ODT) para reducir drásticamente señales de reflexión no deseadas y maximizar el índice de velocidad. Mientras tanto, Silicon Power insiste en utilizar módulos de memoria originales y tecnología de empaque FBGA para una excelente disipación de calor y una certera transferencia de datos. Los kits de memoria dual / triple-channel de Silicon Power son 100% testeados para garantizar un alto rendimiento en estabilidad, durabilidad y compatibilidad.         

 

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Las series DDR3 de Silicon Power están conforme a los estrictos estándares de RoHS y poseen un completo servicio post-venta y garantía de por vida. Existen varias opciones para que los usuarios puedan elegir: 4GB Long / So DIMM, 8GB dual-channel kit (4GBx2), y 12GB triple-channel kit (4GBx3). Para más información, por favor visitar www.silicon-power.com.

 

 

 

Especificaciones del producto:

-       Tipo de módulo de memoria: DDR3 Unbuffered ECC Memory

-       Pins: 240Pin Long-DIMM / 204Pin So-DIMM

-       Frecuencia: DDR3-1333MHz 

-       Función ECC: Unbuffered Non-ECC Memory

-       Capacidad: 4GB / 8GB (4GBx2) / 12GB (4GBx3)

-       Módulo flash espec.: 256Mx8 (bit)

-       Voltaje de funcionamiento: 1.5V

-       CAS latency: 9 (1333MHz)

-       Garantía: Garantía de por-vida