【111年5月6日台北訊】

  全球記憶儲存領導品牌SP廣穎電通正式推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體，DDR5具備高速度/低功耗特性，已是未來市場應用趨勢。

  SP廣穎首款新世代DDR5記憶體擁4800MHz超高頻率，以及最高32GB的容量，大幅升級使用者體驗。

基頻提升  節能省電

  DDR5 SODIMM記憶體，相較DDR4，無論是在速度、容量、還是可靠性均有顯著提升，擁4800MHz超高頻率，比DDR4標準頻率上限3200MHz提升了50%，擁更快的傳輸速度與更高的頻寬，提供多核心CPU更快速的響應速度。

1.1V超低工作電壓，降低單位頻寬功耗，節能省電；另配置電源管理晶片(PMIC-Power Management IC) ，將電源管理從主機板移至記憶體上，有效控制系統的電源負載，提供更穩定的電源供應，並提高記憶體的可靠度和性能。

架構改善  效能翻倍

  DDR5 SODIMM採用8個Bank群組組合而成的32 Bank架構，比DDR4由4個Bank群組組成的16 Bank架構，多出1倍的存取可用性；簡言之，DDR5的每顆IC能存取的數據為DDR4的兩倍；且不同於DDR4在更新時無法執行其他操作，DDR5透過Same Bank Refresh功能，讓系統可以在更新某些Bank的時候，存取其他Bank的資料，可擁更多的儲存空間，使電腦同時多工運作，順暢不卡卡。* Bank意指DRAM顆粒可單獨運作的儲存單元。

  DDR5 SODIMM的Burst Length(DRAM單個讀寫指令可存取的資料量)從DDR4的8增加到16，為DDR4的兩倍，是增加效能的關鍵，這數字決定單一讀寫指令可存取的資料量。

除錯機制  雙通結構

DDR5 SODIMM將On-die ECC糾錯功能直接加入顆粒晶片中，無須透過CPU進行修正，能自行計算並修正記憶體顆粒內部資料存取時產生的錯誤，為系統提供更穩定可靠的運作表現，確保資料精準傳輸。

  DDR5 SODIMM的雙通道結構讓單次資料存取寬度變成32位元，擁2組獨立定址的32-Bit子通道。也就是說，DDR5可一次填充處理器的64 Byte快取記憶體區塊，是DDR4兩倍，使電腦多核心應用可有更高的記憶體頻寬，傳輸更多資料，效率大幅提升。

產品特色

• 4800MHz超高頻率擁更快的傳輸速度與更高的頻寬

• 提供8GB、16GB 、和 32GB三種容量選擇

• 比DDR4標準頻率上限3200MHz提升了50%，提供多核心CPU更快速的響應速度

• DDR5記憶體架構提供的Banks與Bank Groups是DDR4的2倍，擁更多的儲存空間，使電腦可同時多工運作，順暢不卡卡

• DDR5的Burst Length為DDR4的2倍，效能再提升

• 1.1V超低工作電壓，節能省電

• 支援On-die ECC糾錯機制，提高系統穩定性，確保資料精準傳輸

• 擁2組獨立定址的32-Bit子通道，使電腦多核心應用可有更高的記憶體頻寬，傳輸更多資料

• 相容第12代Intel Core處理器

產品規格

• 尺寸: 31.3mm x 133.4mm

• 容量:

   單支包---8GB, 16GB, 32GB

   雙通道包---16GB(8GB*2), 32GB(16GB*2), 64GB(32GB*2)

• 外觀尺寸: 260Pin SOIMM non-ECC

• 頻率 (速度): 4800 MHz*

• CL值: CL40

• 電壓: 1.1V

• 認證:  CE, UKCA, WEEE, Triman, RoHS

• 保固: 終身有限保固

*實際速度可能會因系統平台或配置而有所不同