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DDR5 SODIMM記憶體，相較DDR4，無論是在速度、容量、還是可靠性均有顯著提升，擁5600MT/s超高頻率，比DDR4標準頻率上限3200MT/s提升了75%，擁更快的傳輸速度與更高的頻寬，提供多核心CPU更快速的響應速度。
1.1V超低工作電壓，降低單位頻寬功耗，節能省電；另配置電源管理晶片(PMIC-Power Management IC) ，將電源管理從主機板移至記憶體上，有效控制系統的電源負載，提供更穩定的電源供應，並提高記憶體的可靠度和性能。
DDR5 SODIMM採用8個Bank群組組合而成的32 Bank架構，比DDR4由4個Bank群組組成的16 Bank架構，多出1倍的存取可用性；簡言之，DDR5的每顆IC能存取的數據為DDR4的兩倍；且不同於DDR4在更新時無法執行其他操作，DDR5透過Same Bank Refresh功能，讓系統可以在更新某些Bank的時候，存取其他Bank的資料，可擁更多的儲存空間，使電腦同時多工運作，順暢不卡卡。* Bank意指DRAM顆粒可單獨運作的儲存單元。
DDR5 SODIMM的Burst Length(DRAM單個讀寫指令可存取的資料量)從DDR4的8增加到16，為DDR4的兩倍，是增加效能的關鍵，這數字決定單一讀寫指令可存取的資料量。
DDR5 SODIMM將On-die ECC糾錯功能直接加入顆粒晶片中，無須透過CPU進行修正，能自行計算並修正記憶體顆粒內部資料存取時產生的錯誤，為系統提供更穩定可靠的運作表現，確保資料精準傳輸。
DDR5 SODIMM的雙通道結構讓單次資料存取寬度變成32位元，擁2組獨立定址的32-Bit子通道。也就是說，DDR5可一次填充處理器的64 Byte快取記憶體區塊，是DDR4兩倍，使電腦多核心應用可有更高的記憶體頻寬，傳輸更多資料，效率大幅提升。
| 速度與電壓 | 容量 | 料號 | |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 16GB | SP016GBSVU560F02 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 32GB | SP032GBSVU560F02 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 48GB | SP048GBSVU560P02 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 16GB x 2 | SP032GBSVU560F22 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 32GB x 2 | SP064GBSVU560F22 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 24GB x 2 | SP048GBSVU560P22 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 48GB x 2 | SP096GBSVU560P22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 16GB | SP016GBSVU520F02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 24GB | SP024GBSVU520P02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 32GB | SP032GBSVU520F02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 48GB | SP048GBSVU520P02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 16GB x 2 | SP032GBSVU520F22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 32GB x 2 | SP064GBSVU520F22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 24GB x 2 | SP048GBSVU520P22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 48GB x 2 | SP096GBSVU520P22 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 16GB | SP016GBSVU480F02 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 32GB | SP032GBSVU480F02 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 16GB x 2 | SP032GBSVU480F22 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 32GB x 2 | SP064GBSVU480F22 |
