Мировой производитель модулей памяти DRAM компания Silicon Power уделяет особое внимание выпуску передовых DRAM решений для серверов. Модули оснащены встроенными температурными датчиками и созданы специально для серверов и рабочих станций. Модели с частотами 1333/1066 полностью совместимы с платформами Intel Nehalem Xeon 5500.
Со встроенными температурными датчиками модули смогут предотвратить возможный перегрев системы, таким образом, повышая эффективность и производительность системы. Данный продукт будет отличным решением для серверов и рабочих станций, которые требуют стабильность, эффективность и экономию энергии.
Модуль памяти для серверов Silicon Power DDR3 1333/1066полностью совместим со стандартом JEDEC DDR3. Использование передовых технологий помогает максимизировать производительность контроллера. Поддержка технологии ODT уменьшает отражение сигнала. Использование оригинальных FBGA модулей – гарантия надежности вашей системы. Silicon Power DDR3 2х и 3х канальная память проходит 100% тестирование для гарантии более высокой надежности при эксплуатации.
Кроме того, модули DRAM Silicon Power полностью соответствуют стандарту RoHS и имеют пожизненную гарантию. DDR31333/1066 Unbufferred ECC DIMM доступны в упаковках 6GB(2GB*3) / 3GB(1GB*3) / 4GB(2GB*2) / 2GB(1GB*2) / 2GB / 1GB.
Описание:
-
Сервер / Рабочие станции DDR 3 DRAM module
-
Встроенные датчики для контроля температуры
-
Полностью совместим с Intel Nehalem-based Xeon 5500
-
Новое поколение модулей с 20-30% экономией энергопотребления в сравнении с DDR2
-
Оригинальные чипы 128Mx8 и FBGA упаковка эффективно снижают выделение тепла
-
Fly-by дизайн для улучшения взаимодействия между DRAM и контроллером
-
Поддерживает технологию ODT (On-DIE Termination) для уменьшения потери сигнала
Технические характеристики:
-
Тип памяти: DDR3 Unbufferred ECC Memory
-
Pin module: 240Pin Long-DIMM
-
Рабочая частота: DDR3-1333 MHz / DDR3-1066 MHz (PC3-10600/ PC3-8500)
-
Тип модуля: Unbufferred ECC Memory
-
Емкость: 6GB(2GB*3) / 3GB(1GB*3) / 4GB(2GB*2) / 2GB(1GB*2)/ 2GB / 1GB
-
Конфигурация модуля: 128Mx8 (bit)
-
Напряжение: 1.5 V
-
Задержка: 9 (1333MHz) / 7 (1066MHz)
-
Пожизненная гарантия