DRAM的分類
	DDR SDRAM   DDR是繼SDRAM之後研發的一種記憶體技術。英文全名為Double Date Rate。意思為「雙資料傳輸模式」。有別於SDRAM的「單資料傳輸模式」。DDR可於時脈週期的上升與下降傳輸資料。因此可完成SDRAM兩個週期才能完成的任務。理論上，同速率的DDR記憶體性能比SDRAM要超出一倍。DDR記憶體不向後相容SDRAM。DDR記憶體的規格分為200MHz/266MHz/333MHz/400MHz(時脈頻率)。這是針對可達到的最大寬頻而言。DDR pin數分為桌上型電腦用的184pin及筆記型電腦用的200pin。   v DDR2 SDRAM   DDR2與DDR最大的區別在於DDR2記憶體可進行4bit預讀取, 是DDR記憶體的兩倍。因此DDR2的資料傳輸能力為DDR的兩倍。而且DDR2打破了DDR 的頻率限制 (DDR 400，200MHz 時脈頻率)，具有高頻寬可用性、容納更多晶片陣列及更低秏電量的特色。 DDR2 晶片使用 FBGA技術封裝，確保晶片容量更多的容量、同時尺寸變小，溫度也降的更低。DDR2 耗電量已經從 2.5V 降到 1.8V，能夠增加可攜式裝置的電池壽命。此外，DDR2的ODT、Posted CAS 等技術也是DDR所沒有的。DDR2記憶體的規格分為400MHz/533MHz/667MHz/800MHz。DDR2 pin數分為桌上型電腦用的240pin及筆記型電腦用的200pin。   DDR 及 DDRII 頻寬表       DDR3 SDRAM   DDR3是在DDR2的基礎上，採用新型設計。DDR3記憶體可進行8bit預讀取，其性能是DDR2的兩倍，速度也進一步提高，DDR3以800 MHz起步。DDR3的最低速率為每秒800 MHz，最大為2133MHz。當採用64位元匯流排頻寬時，DDR3能達到每秒6,400MB到17,000MB。在電源電壓部分，DDR3的電源電壓低至1.5V，與標準的1.8V DDR2相較更低20%。 DDR3最初的設計是應用在運算和繪圖，如高階桌上型電腦和工作站，這些應用需要處理大量資訊，以在螢幕上產生栩栩如生的影像。   何謂雙通道(Dual Channel)及三通道(Triple Channel)？   所謂雙通道一種能夠讓電腦效能增加的技術，此種技術將記憶體串接方式改良，以達到更大的頻寬。也就是多增加一條記憶體匯流排，讓溝通北橋晶片與記憶體模組之間的頻寬變成兩倍，雙通道的目的，也是為了解決記憶體頻寬的問題，使主機板就算只使用DDR2 400記憶體，也可以達到頻寬6.4GB/s。 過去記憶體模組在頻寬與資料傳輸速度方面的進展，始終與中央處理器保持一定程度的落差，而隨著中央處理器的運算速度越來越快，必須同時提升前端匯流排(Front Side Bus)以及記憶體匯流排(Memory Bus)的速度，但是單通道的記憶體速度以及匯流排的傳輸頻寬，仍無法應付中央處理器及前端匯流排的需求，於是Intel將前端匯流排外頻提升至800 MHz，中央處理器與北橋晶片之間的資料傳輸頻寬將提昇至6.4 GB/s，此一頻寬不論是使用DDR266 或是DDR333 的記憶體模組，都不足以應付，必須同時搭配雙通道DDR2 400/533/667/800記憶體規格才能達到6.4GB/s，以符合FSB800 對頻寬的需求。 三通道比雙通道的頻寬將近多了1/3，目前只有支援Intel Core i7, X58晶片組的主機板才能支援三通道DDR3記憶體。